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200-1100nm硅基偏壓光電探測(cè)器，感光尺寸Φ1.0mm 產(chǎn)品描述： 筱曉光子的硅基偏壓光電探測(cè)器感光范圍覆蓋200nm~1100nm，噪聲極低，響應(yīng)快，無增益，成本低，適用于常規(guī)光電探測(cè)應(yīng)用，性能優(yōu)秀，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見光測(cè)量。

350-1100nm硅基放大光電探測(cè)器，感光尺寸3.6×3.6mm 產(chǎn)品描述： 筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，有8檔可調(diào)增益，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景，性能優(yōu)秀，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見光測(cè)量。

320-1100nm硅基放大光電探測(cè)器，感光尺寸Φ9.8mm 產(chǎn)品描述： 筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，有8檔可調(diào)增益，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景，性能優(yōu)秀，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見光測(cè)量。

190-1100nm硅基放大光電探測(cè)器，感光尺寸3.6×3.6mm 產(chǎn)品描述： 筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，有8檔可調(diào)增益，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景，性能優(yōu)秀，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見光測(cè)量。

硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。