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美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC,SMF28e

400-1100nm 硅Si光電探測(cè)器 帶放大 固定增益（DC-5MHz） 硅(Si) 硅基光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)從光電sensor感應(yīng)面輸入，輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產(chǎn)品能測(cè)量800nm到1700nm波長范圍的光信號(hào)。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測(cè)器外殼帶有英制1/4“-20螺紋的安裝孔，可以方便的安裝固定。

350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無縫兼容；性能優(yōu)秀 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。

800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器 我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無縫兼容；性能優(yōu)秀 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。

800-2600nm 高速銦鎵砷PIN光電二極管 3mm TO39密封平面透鏡 靈敏度波長范圍為800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一個(gè)高靈敏度和高可靠性的產(chǎn)品系列， 非常適合于光通信設(shè)備。客戶可以定制封裝形式。